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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.45 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 30 V | 配置： | DARLINGTON |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 4000 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.36 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCV26L99Z | FAIRCHILD |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| BCV26LEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN |
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| BCV26S62Z | TI |
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1200mA, 30V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
|
| BCV26S62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| BCV26-T | NXP |
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暂无描述 |
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| BCV26T/R | NXP |
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TRANSISTOR 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BI |
|
| BCV26TA | DIODES |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, |
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| BCV26-TAPE-13 | NXP |
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TRANSISTOR 300 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
|
| BCV26-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 300 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
|
| BCV26TC | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, |
|
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