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KST64MTF PDF预览

KST64MTF

更新时间： 2024-02-26 12:08:36
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 50K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, PNP, Silicon,

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KST64MTF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.52最大集电极电流 (IC)：0.5 A
配置：DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE)：20000
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：125 MHz
Base Number Matches：1

KST64MTF 数据手册

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KST63/64  
Darlington Transistor  
3
2
SOT-23  
1
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
-30  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
-30  
V
CES  
EBO  
-10  
V
I
-500  
350  
150  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Storage Temperature  
C
T
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
BV  
I = -100, V =0  
-30  
V
CES  
CBO  
EBO  
C
BE  
I
I
V
= -30V, I =0  
-100  
-100  
nA  
nA  
CE  
EB  
E
Emitter Cut-off Current  
V
= -10V, I =0  
C
h
* DC Current Gain  
: KST63  
FE  
V
V
= -5V, I = -10mA  
5K  
CE  
CE  
C
: KST64  
: KST63  
: K ST64  
10K  
10K  
20K  
= -5V, I = -100mA  
C
V
V
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
I = -100mA, I = -0.1mA  
-1.5  
-2.0  
V
V
CE  
C
B
V
= -5V, I = -100mA  
C
BE  
CE  
f
Current Gain Bandwidth Product  
V
= -5V, I = -10mA  
125  
MHz  
T
CE  
C
f=100MHz  
* Pulse test: PW≤300µs, Duty Cycle≤2%  
Marking Code  
Type  
KST63  
KST64  
2V  
Mark  
2U  
Marking  
2U  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, November 2002  
1234

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KST64MTF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SMMBTA64LT1G ONSEMI

功能相似

 PNP 双极达林顿晶体管
BCV26E6327HTSA1 INFINEON

功能相似

 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
MMBTA64LT1G ONSEMI

功能相似

 Darlington Transistors PNP Silicon

与KST64MTF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KST64TI SAMSUNG

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23,
KST64TR SAMSUNG

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23,
KST70TF SAMSUNG

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23,
KST70TI SAMSUNG

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23,
KST70TR SAMSUNG

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23,
KST8050 KEXIN

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 		NPN Transistors
KST8050 TYSEMI

获取价格

 		Collector Current: IC=1.5A
KST8050_15 KEXIN

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 		NPN Transistors
KST8050-3_15 KEXIN

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 		NPN Transistors
KST8050-H KEXIN

获取价格

 		NPN Transistors

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