5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > KST812M4S62Z
KST812M4S62Z PDF预览

KST812M4S62Z

更新时间： 2024-01-23 01:26:06
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 45K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

阅读下载

中文翻译

获取价格

KST812M4S62Z 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.84
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：90
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

KST812M4S62Z 数据手册

 浏览型号KST812M4S62Z的Datasheet PDF文件第2页浏览型号KST812M4S62Z的Datasheet PDF文件第3页 
KST812M3/M4/M5/M6/M7  
General Purpose Transistor  
2
SOT-23  
1
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise notedꢀ  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
-50  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
-40  
V
CEO  
EBO  
-5  
V
I
-100  
350  
150  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Dissipation  
C
T
Storage Temperature  
STG  
• Refer to KST5088 for graphs  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise notedꢀ  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max.  
-100  
-100  
Units  
I
I
Collector Cut-off Current  
V
V
= -40V, I =0  
nA  
nA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
E
Emitter Cut-off Current  
DC Current Gain  
= -5V, I =0  
C
h
FE  
: KST812M3  
V
= -6V, I = -1mA  
60  
90  
135  
200  
300  
120  
180  
270  
400  
600  
CE  
C
: KST812M4  
: KST812M5  
: KST812M6  
: KST812M7  
V
V
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
I = -30mA, I = -3mA  
-0.5  
-0.8  
V
V
CE  
C
B
V
= -6V, I = -1mA  
C
BE  
CE  
Marking Code  
Type  
KST812M3  
KST812M 4  
M4  
KST812M5  
M5  
KST812M6  
M6  
KST812M7  
M7  
Mark  
M3  
Marking  
M3  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
123

中文翻译

下载PDF

与KST812M4S62Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KST812M4TF SAMSUNG

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23,
KST812M4TI SAMSUNG

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23,
KST812M4TR SAMSUNG

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23,
KST812M5 SAMSUNG

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23,
KST812M5 FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
KST812M5D87Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
KST812M5L99Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
KST812M5S62Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
KST812M6 SAMSUNG

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23,
KST812M6 FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

与KST812M4S62Z相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证