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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOT-23 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.92 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 40 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.35 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KST812M4 | SAMSUNG |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, |
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| KST812M4S62Z | FAIRCHILD |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| KST812M4TF | SAMSUNG |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, |
|
| KST812M4TI | SAMSUNG |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, |
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| KST812M4TR | SAMSUNG |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, |
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| KST812M5 | SAMSUNG |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, |
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| KST812M5 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| KST812M5D87Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| KST812M5L99Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| KST812M5S62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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