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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.42 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 30 V | 配置： | DARLINGTON |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 4000 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCV26E6327HTSA1 | INFINEON |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| BCV26E6433 | INFINEON |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| BCV26L99Z | FAIRCHILD |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| BCV26LEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN |
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| BCV26S62Z | TI |
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1200mA, 30V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
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| BCV26S62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| BCV26-T | NXP |
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暂无描述 |
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| BCV26T/R | NXP |
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TRANSISTOR 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BI |
|
| BCV26TA | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, |
|
| BCV26-TAPE-13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 300 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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