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| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-261AA |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.58 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 | JEDEC-95代码： | TO-261AA |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 1.5 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 130 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCP56T1/D | ETC |
获取价格 |
NPN Silicon Epitaxial Transistor |
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| BCP56T1G | ONSEMI |
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NPN Silicon Epitaxial Transistor |
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| BCP56T1SERIES | MOTOROLA |
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MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH CURRENT TRANSISTOR SURFACE MOUNT |
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| BCP56T3 | ONSEMI |
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NPN Silicon Epitaxial Transistor |
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| BCP56T3G | ONSEMI |
获取价格 |
NPN Silicon Epitaxial Transistor |
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| BCP56TA | DIODES |
获取价格 |
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT223 |
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| BCP56-TAPE-13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
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| BCP56-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
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| BCP56TC | DIODES |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
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| BCP56TF | ETC |
获取价格 |
BCP56T/SOT223/SC-73 |
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