5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.07 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 配置： | SINGLE | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCP56-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| BCP56TC | DIODES |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
|
| BCP56TF | ETC |
获取价格 |
BCP56T/SOT223/SC-73 |
|
| BCP56T-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
80 V, 1 A NPN medium power transistorsProduction |
|
| BCP56TRL | YAGEO |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
|
| BCP56TRL | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, SC-73, 4 PIN, BIP General Purpos |
|
| BCP56TRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
|
| BCP56TX | ETC |
获取价格 |
TRANS NPN 80V 1A SOT223 |
|
| BCP627 | ETC |
获取价格 |
TRANZYSTORY NPN |
|
| BCP628 | ETC |
获取价格 |
TRANZYSTORY NPN |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
