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BCP68-10 PDF预览

BCP68-10

更新时间： 2024-09-30 22:39:27
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 140K
描述
NPN Silicon AF Transistor (For general AF application High collector current High current gain)

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BCP68-10 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT-223
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.02外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：20 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：85
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

BCP68-10 数据手册

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NPN Silicon AF Transistor  
BCP 68  
● For general AF application  
● High collector current  
● High current gain  
● Low collector-emitter saturation voltage  
● Complementary type: BCP 69 (PNP)  
Package1)  
Type  
Marking  
Ordering Code  
(tape and reel)  
Pin Configuration  
1
2
3
4
BCP 68  
BCP 68  
Q62702-C2126  
B
C
E
C
SOT-223  
BCP 68-10  
BCP 68-16  
BCP 68-25  
BCP 68-10 Q62702-C2127  
BCP 68-16 Q62702-C2128  
BCP 68-25 Q62702-C2129  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
Unit  
Collector-emitter voltage  
V
V
CE0  
CES  
20  
25  
V
Collector-base voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
V
CB0  
EB0  
25  
5
I
I
I
I
C
1
A
Peak collector current  
Base current  
CM  
2
B
100  
200  
1.5  
150  
mA  
Peak base current  
Total power dissipation, T  
Junction temperature  
BM  
S
= 124 ˚C2)  
P
tot  
W
T
j
˚C  
Storage temperature range  
Tstg  
– 65 … + 150  
Thermal Resistance  
Junction - ambient2)  
R
th JA  
th JS  
≤ 72  
≤ 17  
K/W  
Junction - soldering point  
R
1)  
For detailed information see chapter Package Outlines.  
Package mounted on epoxy pcb 40 mm × 40 mm × 1.5 mm/6 cm2 Cu.  
2)  
01.97  
Semiconductor Group  
1
1234

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