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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.02 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 20 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 60 MHz | VCEsat-Max： | 0.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| BCP68-16-TAPE-7 | NXP | TRANSISTOR 1 A, 20 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
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| BCP6825 | ETC |
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| BCP68-25 | INFINEON | NPN Silicon AF Transistor (For general AF application High collector current High current |
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| BCP68-25 | ZETEX | NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
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| BCP68-25 | TYSEMI | High current. Three current gain selections. 1.4 W total power dissipation. |
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| BCP68-25 | NEXPERIA | 20 V, 2 A NPN medium power transistorProduction |
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