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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> BCP68-25
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BCP68-25

更新时间： 2024-11-04 22:39:27
品牌 Logo 应用领域
捷特科 - ZETEX 晶体晶体管功率双极晶体管光电二极管放大器局域网
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1页 47K
描述
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR

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BCP68-25 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.02
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：20 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：160JESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：1.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzVCEsat-Max：0.5 V
Base Number Matches：1

BCP68-25 数据手册

  
SOT223 NPN SILICON PLANAR  
MEDIUM POWER TRANSISTOR  
BCP68  
ISSUE 3 – FEBRUARY 1996  
✪
FEATURES  
*
*
Suitable for AF drivers and output stages  
High collector current and Low VCE(sat)  
C
COMPLEMENTARY TYPE – BCP69  
E
C
PARTMARKING DETAIL –  
BCP68  
B
BCP68 – 25  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
Collector-Base Voltage  
25  
20  
5
V
V
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
Peak Pulse Current  
2
A
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
IC  
1
A
Ptot  
2
W
°C  
Operating and Storage Temperature  
Range  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherwise stated).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
V(BR)CBO 25  
TYP.  
MAX. UNIT CONDITIONS.  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
V
V
V
IC=10µA  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
20  
5
IC= 30mA *  
IE=10µA  
Emitter-Base  
Breakdown Voltage  
Collector Cut-Off  
Current  
100  
10  
nA  
µA  
V
CB=25V  
VCB=25V, Tamb=150°C  
Emitter Cut-Off Current IEBO  
10  
VEB=5V  
µA  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
0.5  
V
IC=1A, IB=100mA*  
Base-Emitter Turn-On VBE(on)  
Voltage  
0.6  
V
V
IC=5A, VCE=10V*  
IC=1A, VCE=1V*  
1.0  
Static Forward Current hFE  
Transfer Ratio  
50  
63  
IC=5mA, VCE=10V*  
IC=500mA, VCE=1V*  
IC=500mA, VCE=1V*  
BCP68  
400  
400  
BCP68-25 160  
250  
100  
Transition Frequency  
fT  
MHz  
IC=100mA, VCE=5V,  
f=100MHz  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%  
For typical characteristics graphs see FMMT449 datasheet.  
3 - 19  
1

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