5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.28 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 配置： | SINGLE |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCP68-16T/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 20 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| BCP68-16-TAPE-13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 20 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| BCP68-16-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 20 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| BCP6825 | ETC |
获取价格 |
|
|
| BCP68-25 | INFINEON |
获取价格 |
NPN Silicon AF Transistor (For general AF application High collector current High current |
|
| BCP68-25 | ZETEX |
获取价格 |
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
|
| BCP68-25 | TYSEMI |
获取价格 |
High current. Three current gain selections. 1.4 W total power dissipation. |
|
| BCP68-25 | NEXPERIA |
获取价格 |
20 V, 2 A NPN medium power transistorProduction |
|
| BCP68-25 | NXP |
获取价格 |
NPN medium power transistor |
|
| BCP68-25 | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
20V,1A,General Purpose NPN Bipolar Transistor |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
