5秒后页面跳转
BCP68E6327 PDF预览

BCP68E6327

更新时间: 2024-01-27 03:41:47
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 806K
描述
1A, 20V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, SOT-223, 4 PIN

BCP68E6327 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:SOT-223
包装说明:SOT-223, 4 PIN针数:4
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.02
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):1 A
集电极-发射极最大电压:20 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):85JESD-30 代码:R-PDSO-G4
元件数量:1端子数量:4
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:NPN
认证状态:COMMERCIAL表面贴装:YES
端子面层:NOT SPECIFIED端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):100 MHz
Base Number Matches:1

BCP68E6327 数据手册

 浏览型号BCP68E6327的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BCP68E6327的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BCP68E6327的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BCP68E6327的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BCP68E6327的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BCP68E6327的Datasheet PDF文件第7页 

与BCP68E6327相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
BCP68E6433 INFINEON Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4

获取价格

BCP68F ETC BCP68/SC-73/REEL 13" Q1/T1 *ST

获取价格

BCP68G-16-AA3-R UTC NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR

获取价格

BCP68G-25-AA3-R UTC NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR

获取价格

BCP68G-XX-AA3-R UTC NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR

获取价格

BCP68L-16-AA3-R UTC NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR

获取价格