5秒后页面跳转
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.02 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 20 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 63 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCP68TRL | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 20 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| BCP68TRL | YAGEO |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
|
| BCP68TRL13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 20 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| BCP68TRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
|
| BCP68-XX-AA3-R | UTC |
获取价格 |
NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR |
|
| BCP69 | TYSEMI |
获取价格 |
High current. Three current gain selections. 1.4 W total power dissipation. |
|
| BCP69 | KEXIN |
获取价格 |
PNP Medium Power Transistor |
|
| BCP69 | NEXPERIA |
获取价格 |
20 V, 2 A PNP medium power transistorProduction |
|
| BCP69 | ONSEMI |
获取价格 |
PNP Bipolar Junction Transistor |
|
| BCP69 | NXP |
获取价格 |
PNP medium power transistor |
|
压敏电阻器在直流电路中的过压保护应用探讨
电感耐压值及其与电感大小的关系
CNY17F光耦合器：特性、应用、封装、引脚功能及替换型号解析
DS1307资料解析：特性、引脚说明、替代推荐
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
