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BCP68L99Z

更新时间： 2024-02-17 19:49:21

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	35K
描述
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin

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BCP68L99Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.59	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	60
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BCP68L99Z 数据手册

BCP68

NPN General Purpose Amplifier

•

This device is designed for general purpose medium power amplifiers.

Sourced from process 37.

SOT-223

1. Base 2.4. Collector 3. Emitter

Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Value

Units

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

CEO

CBO

EBO

Total Device Dissipation

- Derate above 25°C

@ T =25°C

1.5

Watts

mW/°C

T , T

Operating and Storage Junction Temperature Range

- 55 ~ +150

°C

STG

Electrical Characteristics ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Test Conditions

Min. Typ. Max. Units

Off Characteristics

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector-Base Cutoff Current

= 100µA, I = 0

(BR)CES

(BR)CEO

(BR)EBO

CBO

= 1mA, I = 0

= 10µA, I = 0

= 25V, I = 0, T = 25°C

µA

= 25V, I = 0, T = 125°C

Emitter-Base Cutoff Current

= 5V, I = 0

µA

EBO

On Characteristics (1)

DC Current Gain

= 5mA, V = 10V

= 500mA, V = 1V

375

= 1A, V = 1V

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter On Voltage

= 1A, I = 100mA

0.5

CE(sat)

= 1A, V = 1V

BE(on)

Rev. A, August 2001

12 3

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