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BCP68L99Z PDF预览

BCP68L99Z

更新时间： 2024-11-29 19:36:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 35K
描述
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin

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BCP68L99Z 技术参数

生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.59外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：20 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：60
JESD-30 代码：R-PDSO-G4元件数量：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BCP68L99Z 数据手册

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BCP68  
NPN General Purpose Amplifier  
4
•
•
This device is designed for general purpose medium power amplifiers.  
Sourced from process 37.  
3
2
1
SOT-223  
1. Base 2.4. Collector 3. Emitter  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
20  
30  
5
Units  
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
V
V
A
CEO  
CBO  
EBO  
I
1
C
P
Total Device Dissipation  
- Derate above 25°C  
@ T =25°C  
1.5  
12  
Watts  
mW/°C  
D
A
T , T  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
- 55 ~ +150  
°C  
J
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min. Typ. Max. Units  
Off Characteristics  
V
V
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector-Base Cutoff Current  
I
I
I
= 100µA, I = 0  
25  
20  
5
V
V
V
(BR)CES  
(BR)CEO  
(BR)EBO  
CBO  
C
C
E
E
= 1mA, I = 0  
B
= 10µA, I = 0  
C
I
V
V
= 25V, I = 0, T = 25°C  
10  
1
µA  
mA  
CB  
CB  
E
A
= 25V, I = 0, T = 125°C  
E
A
I
Emitter-Base Cutoff Current  
V
= 5V, I = 0  
10  
µA  
EBO  
EB  
C
On Characteristics (1)  
h
DC Current Gain  
I
I
I
= 5mA, V = 10V  
50  
85  
60  
FE  
C
C
C
CE  
= 500mA, V = 1V  
375  
CE  
= 1A, V = 1V  
CE  
V
V
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
I
I
= 1A, I = 100mA  
0.5  
1
V
V
CE(sat)  
C
C
B
= 1A, V = 1V  
BE(on)  
CE  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, August 2001  
123

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