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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.02 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 20 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 85 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 60 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCP68T/R | NXP |
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TRANSISTOR 1 A, 20 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, SMD, SC-73, 4 PIN, BIP General P |
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| BCP68T1 | MOTOROLA |
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MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH CURRENT TRANSISTOR SURFACE MOUNT |
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| BCP68T1 | ONSEMI |
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MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH CURRENT TRANSISTOR SURFACE MOUNT |
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| BCP68T1/D | ETC |
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NPN Epitaxial Transistor |
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| BCP68T1G | ONSEMI |
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NPN Silicon Epitaxial Transistor |
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| BCP68T3 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-223 |
|
| BCP68T3G | ONSEMI |
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1A, 20V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-261AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318E-0 |
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| BCP68TA | DIODES |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
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| BCP68TA | ZETEX |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
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| BCP68-TAPE-13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 20 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
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