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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.02 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 20 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 85 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 60 MHz | VCEsat-Max： | 0.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCP68-XX-AA3-R | UTC |
获取价格 |
NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR |
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| BCP69 | TYSEMI |
获取价格 |
High current. Three current gain selections. 1.4 W total power dissipation. |
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| BCP69 | KEXIN |
获取价格 |
PNP Medium Power Transistor |
|
| BCP69 | NEXPERIA |
获取价格 |
20 V, 2 A PNP medium power transistorProduction |
|
| BCP69 | ONSEMI |
获取价格 |
PNP Bipolar Junction Transistor |
|
| BCP69 | NXP |
获取价格 |
PNP medium power transistor |
|
| BCP69 | ZETEX |
获取价格 |
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
|
| BCP69 | INFINEON |
获取价格 |
PNP Silicon AF Transistor (For general AF application High collector current High current |
|
| BCP69 | FAIRCHILD |
获取价格 |
PNP General Purpose Amplifier |
|
| BCP69 | UTC |
获取价格 |
PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR |
|
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