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BCP69 PDF预览

BCP69

更新时间： 2024-02-29 12:46:59
品牌 Logo 应用领域
SECOS 晶体晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
2页 663K
描述
Silicon Epitaxial Transistor

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BCP69 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.02最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：20 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：85JESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：60 MHzVCEsat-Max：0.5 V
Base Number Matches：1

BCP69 数据手册

 浏览型号BCP69的Datasheet PDF文件第2页 
BCP69  
PNP Transistor  
Elektronische Bauelemente  
Silicon Epitaxial Transistor  
RoHS Compliant Product  
SOT-223  
Description  
The BCP69 is designed for guse in  
low voltage and medium power  
applications.  
Features  
* VCEO : -20V  
* IC : 1A  
Millimeter  
Millimeter  
Min. Max.  
13̓TYP.  
REF.  
REF.  
Min.  
Max.  
7.30  
3.10  
0.10  
10̓  
A
C
D
E
I
6.70  
2.90  
0.02  
0̓  
B
J
2.30 REF.  
1
2
3
4
5
6.30  
6.70  
6.70  
3.70  
3.70  
1.80  
BCP69  
6.30  
3.30  
3.30  
1.40  
Date Code  
0.60  
0.25  
0.80  
0.35  
H
B
C
E
MAXIMUM RATINGS* (Tamb =25oC, unless otherwise specified)  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
VCBO  
Collector-Base Voltage  
- 25  
- 20  
-5  
V
V
V
VCEO  
VEBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
IC  
-1  
A
W
Total Power Dissipation  
PD  
1.5  
O
C
Storage Temperature  
-65~-150  
Junction and  
TJ,  
Tstg  
o
ELECTRICAL CHARACTERISTICS Tamb=25 unless otherwise specified  
C
Typ.  
Parameter  
Symbol  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
ICBO  
Min  
- 25  
- 20  
Max  
Uni Test Conditions  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector-Base Cutoff Current  
Emitter-Base Cutoff Current  
IC=-100µA, IE=0  
IC=-1mA, IB=0  
IE=-10µA, IC=0  
-
-
-
-
-
V
V
V
-
-
-5  
-
- 10  
uA VCB=- 25V, IE=0  
IEBO  
-
-
-
-
- 10  
uA VEB=-5V, IC=0  
Collector Saturation Voltage  
Base-Emitter Voltage  
mV  
V
*VCE(sat)1  
*VBE(on)  
*hFE1  
- 500  
IC=-1mA, IB=-100mA  
VCE=-1V, IC=-1A  
-
-
-
- 1.0  
50  
85  
-
VCE=-10V, IC=-5mA  
VCE=-1V, IC=-500mA  
VCE=-1V, IC=-1A  
DC Current Gain  
-
*hFE2  
375  
*hFE3  
-
60  
-
-
60  
-
Gain-Bandwidth Product  
MH  
VCE=- 5V, IC=-10 mA  
z
fT  
*Pulse Test: Pulse WidthЉ380ꢀs, Duty CycleЉ2%  
http://www.SeCoSGmbH.com  
Any changing of specification will not be informed individual  
01-Jun-2002 Rev. A  
Page 1 of 2  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BCP69,115 NXP

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BCP69,135 ETC

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BCP69/T1 ETC

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 		Power Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin

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