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| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.02 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 20 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 60 MHz | VCEsat-Max： | 0.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCP69-10-TAPE-13 | NXP |
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TRANSISTOR 1 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
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| BCP69-10-TAPE-7 | NXP |
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TRANSISTOR 1 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
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| BCP69-16 | TYSEMI |
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High current. Three current gain selections. 1.4 W total power dissipation. |
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| BCP69-16 | NXP |
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PNP medium power transistor |
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| BCP69-16 | INFINEON |
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PNP Silicon AF Transistor (For general AF application High collector current High current |
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| BCP69-16 | NEXPERIA |
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20 V, 2 A PNP medium power transistorProduction |
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| BCP69-16 | BL Galaxy Electrical |
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20V,1A,General Purpose NPN Bipolar Transistor |
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| BCP69-16,115 | NXP |
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20 V, 2 A PNP medium power transistor SC-73 4-Pin |
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| BCP69-16/DG | NXP |
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20 V, 1 A PNP medium power transistor |
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| BCP69-16/DG,115 | NXP |
获取价格 |
20 V, 1 A PNP medium power transistor; Package: SOT223 (SC-73); Container: Tape reel smd |
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