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BCP69_NL

更新时间： 2024-02-01 08:10:33

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	89K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-223, 4 PIN

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BCP69_NL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT-223	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.36	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	1.5 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	60
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BCP69_NL 数据手册

January 2007

BCP69

PNP General Purpose Amplifier

•

This device is designed for general purpose medium power amplifiers

and switches requiring collector currents to 1.0A.

Sourced from Process 77.

•

SOT-223

1. Base 2. Collector 3. Emitter

Absolute Maximum Ratings* T =25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Value

Units

V_CEO

Collector-Emitter Voltage

-20

-30

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

-5.0

- Continuous

-1.5

T_J

Junction Temperature

150

°C

T_STG

Storage Temperature Range

- 55 ~ +150

* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

NOTES:

1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150°C.

2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.

Thermal Characteristics* T =25°C unless otherwise noted

Units

Symbol

Parameter

Value

P_D

Total Device Dissipation

Derate above 25°C

1.0

8.0

mW/°C

R_θJA

Thermal Resistance, Junction to Ambient

125

°C/W

* Device mounted on FR-4 PCB 36mm × 18mm × 1.5mm; mounting pad for the collector lead min. 6cm

Electrical Characteristics*

T = 25°C unless otherwise noted

Symbol

BV_CEO

BV_CBO

BV_EBO

I_CBO

Parameter

Test Conditions

Min.

-20

Typ. Max. Units

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Collector-Base Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector-Base Cutoff Current

I_C= -10mA, I_B= 0

I_C= -1.0mA, I_E= 0

-30

I_E= -100µA, I_C= 0

-5.0

V_CB= -25V, I_E= 0

-100

-10

V_CB= -25V, I_E= 0, T_j= 150^oC

I_EBO

h_FE

Emitter-Base Cutoff Current

DC Current Gain

V_EB= -5.0V, I_C= 0

-100

I_C= -5mA, V_CE= -1.0V

I_C= -500mA, V_CE= -1.0V

I_C= -1.0A, V_CE= -1.0V

375

V_CE(sat)

V_BE(on)

C_cb

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter On Voltage

I_C= -1.0A, I_B= -100mA

-0.5

-1.0

I_C= -1.0A, V_CE= -1.0V

Collector-Base Capacitance

V_CB= -10V, I_E= 0, f = 1.0MHz

I_C= -50mA, V_CE= -10V, f = 20MHz

h_fe

Small-Signal Current Gain

2.5

* Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2.0%

BCP69 Rev. B

www.fairchildsemi.com

12 3 4 5

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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