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BCP68E6327

更新时间： 2024-01-02 00:38:41

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	124K
描述
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, SOT-223, 4 PIN

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BCP68E6327 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT-223
包装说明：	SOT-223, 4 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.02
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	85	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	COMMERCIAL	表面贴装：	YES
端子面层：	NOT SPECIFIED	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

BCP68E6327 数据手册

BCP68

NPN Silicon AF Transistor

• For general AF applications

• High collector current

• High current gain

• Low collector-emitter saturation voltage

• Complementary type: BCP69 (PNP)

VPS05163

Type

BCP68

BCP68-25

Marking

BCP 68

BCP 68-25 1 = B

Pin Configuration

Package

SOT223

1 = B

2 = C

3 = E

4 = C

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

DC collector current

Peak collector current

Base current

CEO

CES

CBO

EBO

100

200

Peak base current

1.5

Total power dissipation, T = 124 °C

tot

150

°C

Junction temperature

Storage temperature

-65 .. 150

stg

Thermal Resistance

Junction - soldering point

≤17

K/W

thJS

For calculation of R

thJA

please refer to Application Note Thermal Resistance

2005-07-14

12 3 4 5 6

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BCP68E6433	INFINEON	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4	获取价格
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