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BCP68E6327

更新时间： 2024-02-06 17:10:55

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	124K
描述
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, SOT-223, 4 PIN

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BCP68E6327 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT-223
包装说明：	SOT-223, 4 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.02
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	85	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	COMMERCIAL	表面贴装：	YES
端子面层：	NOT SPECIFIED	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

BCP68E6327 数据手册

BCP68

Electrical Characteristics at T = 25°C, unless otherwise specified.

Parameter

Symbol

Values

typ. max.

Unit

min.

Characteristics

Collector-emitter breakdown voltage

(BR)CEO

(BR)CES

(BR)CBO

(BR)EBO

I = 30 mA, I = 0

Collector-emitter breakdown voltage

I = 10 µA, V = 0

Collector-base breakdown voltage

I = 10 µA, I = 0

Emitter-base breakdown voltage

I = 10 µA, I = 0

100 nA

100 µA

Collector cutoff current

= 25 V, I = 0

CBO

Collector cutoff current

= 25 V, I = 0 , T = 150 °C

CBO

DC current gain 1)

I = 5 mA, V = 10 V

DC current gain 1)

I = 500 mA, V = 1 V

BCP68

BCP68-25

160

250

375

DC current gain 1)

I = 1 A, V = 1 V

0.5

Collector-emitter saturation voltage1)

I = 1 A, I = 100 mA

CEsat

Base-emitter voltage 1)

I = 5 mA, V = 10 V

BE(ON)

0.6

I = 1 A, V = 1

AC Characteristics

Transition frequency

100

MHz

I = 100 mA, V = 5 V, f = 100 MHz

1) Pulse test: t ≤ 300µs, D = 2%

2005-07-14

123 4 5 6

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