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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.01 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 20 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 63 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | JESD-609代码： | e0 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 1.5 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCP68,115 | ETC |
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TRANS NPN 20V 1A SOT223 |
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| BCP68/DG/B2,115 | NXP |
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NPN medium power transistor; 20 V, 1 A, SOT223 Package, Standard Marking, Reel Pack, SMD, |
|
| BCP68_09 | UTC |
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NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR |
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| BCP68_12 | UTC |
获取价格 |
NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR |
|
| BCP68_15 | UTC |
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NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR |
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| BCP68-10 | INFINEON |
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NPN Silicon AF Transistor (For general AF application High collector current High current |
|
| BCP68-10 | NXP |
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TRANSISTOR 1 A, 20 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| BCP68-10 | BL Galaxy Electrical |
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20V,1A,General Purpose NPN Bipolar Transistor |
|
| BCP68-10E6327 | INFINEON |
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Power Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin |
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| BCP68-10E6433 | INFINEON |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin |
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