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BCP56TRL13

更新时间: 2024-11-05 19:42:39
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国巨 - YAGEO /
页数 文件大小 规格书
3页 132K
描述
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin,

BCP56TRL13 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.57Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):1 A
集电极-发射极最大电压:80 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):40JESD-30 代码:R-PDSO-G4
元件数量:1端子数量:4
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):130 MHz
VCEsat-Max:0.5 VBase Number Matches:1

BCP56TRL13 数据手册

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