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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | Factory Lead Time： | 15 weeks |
| 风险等级： | 0.64 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 25 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| DCP56-13 | DIODES |
类似代替  |
NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
|
| BCP56T1G | ONSEMI |
功能相似 |
NPN Silicon Epitaxial Transistor |
|
| BCP56-16T1G | ONSEMI |
功能相似 |
NPN Silicon Epitaxial Transistor |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCP56-TAPE-13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| BCP56-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
|
| BCP56TC | DIODES |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
|
| BCP56TF | ETC |
获取价格 |
BCP56T/SOT223/SC-73 |
|
| BCP56T-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
80 V, 1 A NPN medium power transistorsProduction |
|
| BCP56TRL | YAGEO |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
|
| BCP56TRL | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, SC-73, 4 PIN, BIP General Purpos |
|
| BCP56TRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 |
|
| BCP56TX | ETC |
获取价格 |
TRANS NPN 80V 1A SOT223 |
|
| BCP627 | ETC |
获取价格 |
TRANZYSTORY NPN |
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