生命周期: | Active | 包装说明: | R-PDSO-G3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.6 | 配置: | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 最大输出电流: | 0.16 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 最大功率耗散: | 0.25 W |
最大重复峰值反向电压: | 85 V | 最大反向恢复时间: | 3 µs |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BAV199WQ | DIODES |
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DUAL SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE | |
BAV199W-Q | NEXPERIA |
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Low-leakage double diodeProduction | |
BAV199WQ-7 | DIODES |
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Rectifier Diode, 2 Element, 0.16A, 85V V(RRM), Silicon, | |
BAV199WS | FUTUREWAFER |
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Surface Mount Switching Diode Array | |
BAV199WSD | FUTUREWAFER |
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Surface Mount Switching Diode Array | |
BAV199WST | FUTUREWAFER |
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Surface Mount Switching Diode Array | |
BAV199WT | SWST |
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小信号开关二极管 | |
BAV199WT | MCC |
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Tape : 3K/Reel, 120K/Ctn; | |
BAV199WT | YANGJIE |
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SOT-323 | |
BAV199W-T | NXP |
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DIODE 85 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |