是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.34 | 其他特性: | LOW POWER LOSS |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
JEDEC-95代码: | DO-35 | JESD-30 代码: | O-XALF-W2 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 175 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 最大输出电流: | 0.2 A |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 最大重复峰值反向电压: | 120 V |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BAV19AMO | NXP |
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DIODE 0.25 A, 120 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode |
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BAV19-AP | MCC |
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暂无描述 |
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BAV19-B | RECTRON |
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SIGNAL DIODE, |
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BAV19-BP | MCC |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 120V V(RRM), Silicon, DO-35, ROHS COMPLIANT, GLASS PACKA |
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BAV19L | BL Galaxy Electrical |
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0.2A,100V,Surface Mount Small Signal Switching Diodes |
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BAV19-L0R0G | TSC |
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High Voltage Switching Diode |
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BAV19P | SECOS |
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Surface Mount Switching Diode |
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BAV19R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 120V V(RRM), Silicon, |
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BAV19R0 | TSC |
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High Voltage Switching Diode |
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BAV19R0G | TSC |
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High Voltage Switching Diode |
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