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| 生命周期： | Transferred | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.59 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1 V |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最大输出电流： | 0.2 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 最大功率耗散： | 0.4 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 120 V |
| 最大反向电流： | 0.1 µA | 最大反向恢复时间： | 0.05 µs |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| BAV19R0 | TSC | High Voltage Switching Diode |
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| BAV19R0G | TSC | High Voltage Switching Diode |
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| BAV19S | TDK | Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon |
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| BAV19S | DIODES | Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 120V V(RRM), Silicon |
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| BAV19-T | RECTRON | SIGNAL DIODE, |
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| BAV19T/R | NXP | DIODE 0.25 A, 120 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode |
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