Datasheet > BAV19R0G

BAV19R0G

更新时间： 2024-11-21 01:11:35

品牌	Logo	应用领域
TSC		瞄准线二极管
页数	文件大小	规格书
4页	199K
描述
High Voltage Switching Diode

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BAV19R0G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.11	其他特性：	LOW POWER LOSS
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-35	JESD-30 代码：	O-XALF-W2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	最大重复峰值反向电压：	120 V
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

BAV19R0G 数据手册

BAV19 / BAV20 / BAV21

Taiwan Semiconductor

Small Signal Product

High Voltage Switching Diode

FEATURES

- Fast switching device (trr<4.0ns)

- Through-hole device type mounting

- Hermetically sealed glasss

- Solder hot dip tin (Sn) lead finish

- All external surfaces are corrosion resistant and

leads are readily solderable

- Packing code with suffix "G" means

Halogen free

DO-35

Hermetically Sealed Glass

MECHANICAL DATA

- Case: DO-35 package

- High temperature soldering guaranteed: 260^oC/10s

- Polarity: Indicated by black cathode band

- Weight: 109 ± 4 mg

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A=25^oC unless otherwise noted)

PARAMETER

VALUE

SYMBOL

UNIT

Power Dissipation

P_D

500

Pulse Width = 1 s , Square Wave

Peak Forward Surge

Current

I_FSM

Pulse Width = 1 μs , Square Wave

200

I_O

Average Forward Current

^oC/W

^oC

Thermal Resistance (Junction to Ambient)

Junction and Storage Temperature Range

R_θJA

300

T_J, T_STG

-65 to +200

PARAMETER

MIN

120

200

250

MAX

SYMBOL

UNIT

BAV19

I_R= 100 μA

V_(BR)

Reverse Breakdown Voltage

Forward Voltage

BAV20

BAV21

I_F= 100 mA

I_F= 200 mA

V_R= 100 V

V_R= 150 V

V_R= 200 V

1.00

1.25

V_F

BAV19

BAV20

BAV21

I_R

Reverse Leakage Current

100

V_R= 0 , f = 1.0 MHz

(Note 1)

Junction Capacitance

C_J

trr

Reverse Recovery Time

Note 1: Test condition : I_F= I_R= 30mA , R_L=100Ω , I_RR=3mA

Document Number: DS_S1412015

Version: D14

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与BAV19R0G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BAV19S	TDK	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon
BAV19S	DIODES	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 120V V(RRM), Silicon
BAV19-T	RECTRON	获取价格	SIGNAL DIODE,
BAV19T/R	NXP	获取价格	DIODE 0.25 A, 120 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode
BAV19T26A	TI	获取价格	0.2A, 100V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
BAV19T26R	FAIRCHILD	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 120V V(RRM), Silicon, DO-35
BAV19T50A	TI	获取价格	0.2A, 100V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
BAV19T50R	FAIRCHILD	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 120V V(RRM), Silicon, DO-35, D2, 2 PIN
BAV19-TAP	VISHAY	获取价格	Small Signal Switching Diodes, High Voltage
BAV19TC	SECOS	获取价格	Surface Mount Small Signal Switching Diode