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BAV19R0G

更新时间： 2024-02-06 07:12:36

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TSC		瞄准线二极管
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4页	199K
描述
High Voltage Switching Diode

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BAV19R0G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.11	其他特性：	LOW POWER LOSS
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-35	JESD-30 代码：	O-XALF-W2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	最大重复峰值反向电压：	120 V
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

BAV19R0G 数据手册

BAV19 / BAV20 / BAV21

Taiwan Semiconductor

Small Signal Product

High Voltage Switching Diode

FEATURES

- Fast switching device (trr<4.0ns)

- Through-hole device type mounting

- Hermetically sealed glasss

- Solder hot dip tin (Sn) lead finish

- All external surfaces are corrosion resistant and

leads are readily solderable

- Packing code with suffix "G" means

Halogen free

DO-35

Hermetically Sealed Glass

MECHANICAL DATA

- Case: DO-35 package

- High temperature soldering guaranteed: 260^oC/10s

- Polarity: Indicated by black cathode band

- Weight: 109 ± 4 mg

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A=25^oC unless otherwise noted)

PARAMETER

VALUE

SYMBOL

UNIT

Power Dissipation

P_D

500

Pulse Width = 1 s , Square Wave

Peak Forward Surge

Current

I_FSM

Pulse Width = 1 μs , Square Wave

200

I_O

Average Forward Current

^oC/W

^oC

Thermal Resistance (Junction to Ambient)

Junction and Storage Temperature Range

R_θJA

300

T_J, T_STG

-65 to +200

PARAMETER

MIN

120

200

250

MAX

SYMBOL

UNIT

BAV19

I_R= 100 μA

V_(BR)

Reverse Breakdown Voltage

Forward Voltage

BAV20

BAV21

I_F= 100 mA

I_F= 200 mA

V_R= 100 V

V_R= 150 V

V_R= 200 V

1.00

1.25

V_F

BAV19

BAV20

BAV21

I_R

Reverse Leakage Current

100

V_R= 0 , f = 1.0 MHz

(Note 1)

Junction Capacitance

C_J

trr

Reverse Recovery Time

Note 1: Test condition : I_F= I_R= 30mA , R_L=100Ω , I_RR=3mA

Document Number: DS_S1412015

Version: D14

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与BAV19R0G相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BAV19S	TDK	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon	获取价格
BAV19S	DIODES	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 120V V(RRM), Silicon	获取价格
BAV19-T	RECTRON	SIGNAL DIODE,	获取价格
BAV19T/R	NXP	DIODE 0.25 A, 120 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode	获取价格
BAV19T26A	TI	0.2A, 100V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35	获取价格
BAV19T26R	FAIRCHILD	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 120V V(RRM), Silicon, DO-35	获取价格