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BAV19-A

更新时间: 2024-02-04 01:41:45
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美台 - DIODES 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 61K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon

BAV19-A 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.59
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1 VJESD-30 代码:O-LALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:0.2 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
最大功率耗散:0.4 W认证状态:Not Qualified
最大反向电流:0.1 µA最大反向恢复时间:0.05 µs
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

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