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BAV19TC

更新时间： 2024-01-07 17:36:29

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SECOS		小信号开关二极管
页数	文件大小	规格书
1页	75K
描述
Surface Mount Small Signal Switching Diode

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BAV19TC 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-LALF-W2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.59
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
最大输出电流：	0.2 A	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
最大功率耗散：	0.4 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	120 V	最大反向恢复时间：	0.05 µs
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

BAV19TC 数据手册

BAV19TC/BAV20TC/BAV21TC

Surface Mount Small Signal Switching Diode

Elektronische Bauelemente

RoHS Compliant Product

A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free

DO-35

FEATURE



DO-35 Package (JEDEC)

Through-Hole Device Type Mounting

Hermetically Sealed Glass

Compression Bonded Construction

All external surfaces are corrosion resistant and leads

are readily solderable

RoHS Compliant

Solder hot dip Tin (Sn) lead finish

Cathode indicated by polarity band



Millimeter

ELECTRICAL SYMBOL

REF.

Min.

Max.

38.1

5.08

2.28

0.55

25.4

3.05

1.53

0.46

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25°C unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

V_RRM

Ratings

250

Unit

Maximum Repetitive Reverse Voltage

Average Rectified Forward Current

I_F(AV)

200

Non-repetitive Peak

PW = 1.0s

1.0

4.0

I_FSM

Forward Current

Power Dissipation

PW = 1.0μs

P_D

500

300

°C / W

°C

Thermal Resistance Junction to Ambient

Operating Junction, Storage Temperature

R_θJA

T_J, T_STG

175, -65 ~ +200

These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25°C unless otherwise specified)

Parameters

Symbol

Min.

Max.

Unit

Test Conditions

BAV19TC

BAV20TC

BAV21TC

BAV19TC

BAV20TC

BAV21TC

120

200

Breakdown Voltage

B_V

I_R=100μA

250

100

1.0

1.25

V_R= 100V

V_R= 150V

V_R= 200V

I_F= 100mA

I_F= 200mA

Reverse Leakage Current

Forward Voltage

I_R

V_F

I_F= I_R= 30 mA,

I_RR=3mA, R_L=100

Reverse Recovery Time

Capacitance

T_RR

5.0

V_R= 0V, f=1MHz

http://www.SeCoSGmbH.com/

Any changes of specification will not be informed individually.

22-Jul-2010 Rev. A

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与BAV19TC相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BAV19TR	ONSEMI	高压通用型二极管	获取价格
BAV19TR	ROCHESTER	0.2 A, 120 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35	获取价格
BAV19TR	FAIRCHILD	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 120V V(RRM), Silicon, DO-35	获取价格
BAV19-TR	VISHAY	Small Signal Switching Diodes, High Voltage	获取价格
BAV19W	VISHAY	Small Signal Diodes	获取价格
BAV19W	MCC	410mW Small Signal Diodes 120 to 250 Volts	获取价格