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BAV19W PDF预览

BAV19W

更新时间： 2024-11-23 22:39:19
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 整流二极管信号二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 165K
描述
410mW Small Signal Diodes 120 to 250 Volts

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BAV19W 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：PLASTIC PACKAGE-2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.02
Is Samacsys：N配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1 VJESD-30 代码：R-PDSO-G2
JESD-609代码：e0最大非重复峰值正向电流：1 A
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最大输出电流：0.2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：240
最大功率耗散：0.41 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：120 V最大反向恢复时间：0.05 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
Base Number Matches：1

BAV19W 数据手册

 浏览型号BAV19W的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BAV19W的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
BAV19W  
THRU  
BAV21W  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
21201 Itasca Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Features  
410mW  
Small Signal  
Diodes  
·
·
·
Silicon Epitaxial Planar Diodes  
For General Purpose  
This diode is also available in other case.  
120 to 250 Volts  
Mechanical Data  
·
·
·
Case: SOD-123, Molded Plastic  
Weight: approx. 0.01g  
Marking code: BAV19W=A8  
BAV20W=T2  
SOD123  
A
B
BAV21W=T3  
Maximum Ratings  
Symbol  
Rating  
Rating  
Unit  
C
E
Continuous Reverse Voltage  
BAV19W  
BAV20W  
BAV21W  
100  
150  
200  
120  
200  
250  
250  
200  
625  
VR  
V
Repetitive Peak Reverse Voltage BAV19W  
VRRM  
IF  
BAV20W  
BAV21W  
V
H
D
Forward DC Current at Tamb=25OC  
mA  
mA  
mA  
(1)  
Rectified Current (Average) Half Wave  
Rectification with Resist. Load at  
IF(AV)  
IFRM  
IFSM  
(1)  
Tamb=25OC  
J
G
Repetitive Peak Forward Current at f>50Hz,  
(1)  
Tamb=25OC  
DIMENSIONS  
Surge Forward Current at t<1s, Tj=25OC  
Power Dissipation at Tamb=25OC  
1.0  
410  
A
DIM  
INCHES  
MIN  
MM  
NOTE  
(1)  
MAX  
.152  
.112  
.071  
.053  
.031  
-----  
.01  
MIN  
3.55  
2.55  
1.40  
-----  
0.30  
0.15  
-----  
-----  
MAX  
3.85  
2.85  
1.80  
1.35  
.78  
-----  
.25  
.15  
P
mW  
mW  
OC  
tot  
RJA  
TJ  
TSTG  
Thermal Resistance Junction to Ambient Air  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
375  
-55 to +150  
-55 to +150  
A
B
C
D
E
G
H
J
.140  
.100  
.055  
-----  
.012  
.006  
-----  
-----  
OC  
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
Symbol  
VF  
Parameter  
Forward Voltage  
Min  
---  
---  
Typ Max Units  
(IF=100mA)  
(IF=200mA)  
---  
---  
1.00  
1.25  
V
.006  
IR  
Leakage Current  
(VR=100V)  
BAV19W ---  
BAV19W ---  
BAV20W ---  
BAV20W ---  
BAV21W ---  
BAV21W ---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
100  
15  
100  
15  
100  
15  
nA  
uA  
nA  
uA  
nA  
uA  
SUGGESTED SOLDER  
PAD LAYOUT  
(VR=100V, Tj=100OC)  
(VR=150V)  
0.093"  
(VR=150V, Tj=100OC)  
(VR=200V)  
(VR=200V, Tj=100OC)  
rf  
Dynamic Forward Resistance  
---  
---  
5.0  
1.5  
---  
---  
OHM  
pF  
0.048”  
(I =10mA)  
F
C
tot  
Capacitance  
(VR=0, f=1.0MHz)  
trr  
Reverse Recovery Time  
(I =30mA, IR=30mA)  
F
0.036”  
---  
---  
50  
ns  
(Irr=3.0mA, R =100OHMS)  
L
*(1) Valid provided that leads are kept at ambient temperature  
www.mccsemi.com  
123

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