5秒后页面跳转
BAV19S PDF预览

BAV19S

更新时间: 2024-01-20 10:35:17
品牌 Logo 应用领域
东电化 - TDK 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 49K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon

BAV19S 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.59
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1 VJESD-30 代码:O-LALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:200 °C最大输出电流:0.2 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Not Qualified最大反向电流:0.1 µA
最大反向恢复时间:0.05 µs表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

BAV19S 数据手册

  

与BAV19S相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
BAV19-T RECTRON SIGNAL DIODE,

获取价格

BAV19T/R NXP DIODE 0.25 A, 120 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode

获取价格

BAV19T26A TI 0.2A, 100V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35

获取价格

BAV19T26R FAIRCHILD Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 120V V(RRM), Silicon, DO-35

获取价格

BAV19T50A TI 0.2A, 100V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35

获取价格

BAV19T50R FAIRCHILD Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 120V V(RRM), Silicon, DO-35, D2, 2 PIN

获取价格