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BAV19-AP

更新时间： 2024-11-24 13:02:47
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 信号二极管
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4页 271K
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BAV19-AP 数据手册

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M C C  
BAV19  
THRU  
BAV21  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
Features  
500mW  
Small Signal  
Diodes  
•
•
•
•
Silicon Epitaxial Planar Diodes  
For General Purpose  
This diode is also available in other case.  
Lead Free Finish/Rohs Compliant (Note1) ("P"Suffix designates  
Compliant. See ordering information)  
120 to 250 Volts  
Mechanical Data  
•
•
•
Case: DO-35 Glass Case  
Weight: approx. 0.13g  
Marking : Cathode band and type number  
Moisture Sensitivity Level 1  
DO-35 GLASS  
•
Maximum Ratings  
Symbol  
Rating  
Rating  
Unit  
Continuous Reverse Voltage  
BAV19  
BAV20  
BAV21  
100  
150  
200  
120  
200  
250  
250  
200  
625  
VR  
V
D
Repetitive Peak Reverse Voltage BAV19  
VRRM  
IF  
BAV20  
BAV21  
V
Forward DC Current at Tamb=25OC  
mA  
mA  
mA  
(1)  
A
Rectified Current (Average) Half Wave  
Rectification with Resist. Load at  
Cathode  
Mark  
IF(AV)  
IFRM  
IFSM  
(1)  
Tamb=25OC  
B
Repetitive Peak Forward Current at  
(1)  
f>50Hz, Tamb=25OC  
D
Surge Forward Current at t<1s, Tj=25OC  
1.0  
500  
A
P
TJ  
TSTG  
Power Dissipation at Tamb=25OC  
mW  
OC  
(2)  
tot  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
-55 to +150  
-55 to +150  
C
OC  
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
Symbol  
VF  
Parameter  
Forward Voltage  
Min  
---  
---  
Typ Max Units  
(IF=100mA)  
(IF=200mA)  
---  
---  
1.00  
1.25  
V
IR  
Leakage Current  
(VR=100V)  
BAV19  
BAV19  
BAV20  
BAV20  
BAV21  
BAV21  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
100  
15  
100  
15  
100  
15  
nA  
uA  
nA  
uA  
nA  
uA  
(VR=100V, Tj=100OC)  
(VR=150V)  
DIMENSIONS  
(VR=150V, Tj=100OC)  
(VR=200V)  
INCHES  
MIN  
---  
---  
---  
MM  
MIN  
DIM  
A
B
C
D
MAX  
.166  
.079  
.020  
---  
MAX  
4.2  
2.00  
.52  
NOTE  
(VR=200V, Tj=100OC)  
---  
---  
rf  
Dynamic Forward Resistance  
---  
---  
5.0  
1.5  
---  
---  
OHM  
pF  
---  
(I =10mA)  
F
1.000  
25.40  
---  
C
tot  
Capacitance  
(VR=0, f=1.0MHz)  
Reverse Recovery Time  
trr  
(I =30mA, IR=30mA)  
F
---  
---  
50  
ns  
(Irr=3.0mA, R =100OHMS)  
L
Note: 1. Lead in Glass Exemption Applied, see EU Directive Annex 5.  
.
2. Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 8mm  
from case.  
www.mccsemi.com  
Revision: A  
2011/01/01  
1 of 4  
1234

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与BAV19-AP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BAV19-B RECTRON

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 		SIGNAL DIODE,
BAV19-BP MCC

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 120V V(RRM), Silicon, DO-35, ROHS COMPLIANT, GLASS PACKA
BAV19L BL Galaxy Electrical

获取价格

 		0.2A,100V,Surface Mount Small Signal Switching Diodes
BAV19-L0R0G TSC

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 		High Voltage Switching Diode
BAV19P SECOS

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 		Surface Mount Switching Diode
BAV19R MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 120V V(RRM), Silicon,
BAV19R0 TSC

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 		High Voltage Switching Diode
BAV19R0G TSC

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 		High Voltage Switching Diode
BAV19S TDK

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon
BAV19S DIODES

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 120V V(RRM), Silicon

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