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BAV19T/R

更新时间: 2024-02-13 18:58:13
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 二极管
页数 文件大小 规格书
8页 212K
描述
DIODE 0.25 A, 120 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode

BAV19T/R 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.81
配置:SINGLE二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1 VJESD-609代码:e0
元件数量:1最高工作温度:175 °C
最大输出电流:0.25 A最大重复峰值反向电压:120 V
最大反向恢复时间:0.05 µs子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches:1

BAV19T/R 数据手册

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