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BAV199WT-TP-HF

更新时间： 2024-11-20 19:58:43
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 377K
描述
Rectifier Diode,

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BAV199WT-TP-HF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.6配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-G3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：0.16 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260最大功率耗散：0.2 W
最大重复峰值反向电压：85 V最大反向恢复时间：3 µs
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
Base Number Matches：1

BAV199WT-TP-HF 数据手册

 浏览型号BAV199WT-TP-HF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BAV199WT-TP-HF的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
TM  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Micro Commercial Components  
BAV199WT  
Features  
•
•
•
·
Low Current Leakage  
Forward Current:IF=160mA.  
Small Outline Surface Mount Package  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisture Sensitivity Level 1  
Dual Series  
Switching Diode  
·
•
Marking: K52  
·
Lead Free Finish/Rohs Compliant ("P"Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
SOT-323  
•
A
D
Maximum Ratings @ 25°C Unless Otherwise Specified  
C
B
Parameter  
Symbol  
Value  
Peak Repetitive Reverse Voltage VRRM  
85V  
F
E
Working Peak Reverse Voltage  
RMS Reverse Voltage  
VRWM  
85V  
VR(RMS)  
60V  
Average Rectified Output Current IO  
160mA  
H
G
J
4A  
Non-Repetitive Peak  
@1us  
IFSM  
@1ms  
Forward Surge Current  
1A  
K
0.5A  
@1s  
DIMENSIONS  
Power Dissipation  
Thermal Resistance Junction to Ambient RthJA  
PTOT  
200mW  
INCHES  
MAX  
MM  
625oC/W  
DIM  
A
B
C
D
E
MIN  
.071  
.045  
.083  
MIN  
1.80  
1.15  
2.10  
MAX  
2.20  
1.35  
2.45  
NOTE  
.087  
.053  
.096  
Operating Temperature  
Storage Temperature  
TJ  
-55°C to +150°C  
-55°C to +150°C  
Tstg  
.026 Nominal  
0.65Nominal  
1.20  
.047  
.012  
.000  
.035  
.004  
.006  
.055  
.016  
.004  
.039  
.010  
.016  
1.40  
.40  
.100  
1.00  
.250  
.40  
F
.30  
.000  
.90  
.100  
.15  
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified  
G
H
J
Symbol  
Parameter  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
K
Reverse Breakdown Voltage  
(IR-100uA)  
VBR  
85  
---  
---  
V
Suggested Solder  
Pad Layout  
0.70  
Forward Voltage  
IF=1.0mA  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
0.90  
1.00  
1.10  
1.25  
VF  
IF=10mA  
V
IF=50mA  
IF=150mA  
0.90  
Leakage Current  
(VR=75V)  
IR  
---  
---  
5.0  
nA  
1.90  
Junction Capacitance  
(VR=0, f=1.0MHz)  
Cj  
trr  
---  
---  
2.0  
---  
---  
pF  
us  
0.65  
3.0  
Reverse recovery time  
0.65  
www.mccsemi.com  
Revision: A  
2014/03/04  
1 of 3  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon
BAV19A0 TSC

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 		High Voltage Switching Diode
BAV19AMO NXP

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 		DIODE 0.25 A, 120 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode
BAV19-AP MCC

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 		暂无描述
BAV19-B RECTRON

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BAV19-BP MCC

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 120V V(RRM), Silicon, DO-35, ROHS COMPLIANT, GLASS PACKA
BAV19L BL Galaxy Electrical

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 		0.2A,100V,Surface Mount Small Signal Switching Diodes
BAV19-L0R0G TSC

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BAV19P SECOS

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 120V V(RRM), Silicon,

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