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BAV199WT-TP-HF

更新时间： 2024-09-24 19:58:43

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	377K
描述
Rectifier Diode,

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BAV199WT-TP-HF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.6	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	0.16 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大功率耗散：	0.2 W
最大重复峰值反向电压：	85 V	最大反向恢复时间：	3 µs
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
Base Number Matches：	1

BAV199WT-TP-HF 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

BAV199WT

Features

•

Low Current Leakage

Forward Current:IF=160mA.

Small Outline Surface Mount Package

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisture Sensitivity Level 1

Dual Series

Switching Diode

•

Marking: K52

Lead Free Finish/Rohs Compliant ("P"Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"

SOT-323

•

Maximum Ratings @ 25°C Unless Otherwise Specified

Parameter

Symbol

Value

Peak Repetitive Reverse Voltage V_RRM

85V

Working Peak Reverse Voltage

RMS Reverse Voltage

V_RWM

85V

V_R(RMS)

60V

Average Rectified Output Current I_O

160mA

Non-Repetitive Peak

@1us

I_FSM

@1ms

Forward Surge Current

0.5A

@1s

DIMENSIONS

Power Dissipation

Thermal Resistance Junction to Ambient R_thJA

P_TOT

200mW

INCHES

MAX

625^oC/W

DIM

MIN

.071

.045

.083

MIN

1.80

1.15

2.10

MAX

2.20

1.35

2.45

NOTE

.087

.053

.096

Operating Temperature

Storage Temperature

T_J

-55°C to +150°C

T_stg

.026 Nominal

0.65Nominal

1.20

.047

.012

.000

.035

.004

.006

.055

.016

.004

.039

.010

.016

1.40

.40

.100

1.00

.250

.40

.30

.000

.90

.100

.15

Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Typ

Max

Unit

Reverse Breakdown Voltage

(IR-100uA)

V_BR

---

Suggested Solder

Pad Layout

0.70

Forward Voltage

I_F=1.0mA

---

0.90

1.00

1.10

1.25

V_F

I_F=10mA

I_F=50mA

I_F=150mA

0.90

Leakage Current

(V_R=75V)

I_R

---

5.0

1.90

Junction Capacitance

(V_R=0, f=1.0MHz)

C_j

t_rr

---

2.0

---

0.65

3.0

Reverse recovery time

0.65

www.mccsemi.com

Revision: A

2014/03/04

1 of 3

12 3

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与BAV199WT-TP-HF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BAV19-A	DIODES	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon
BAV19A0	TSC	获取价格	High Voltage Switching Diode
BAV19AMO	NXP	获取价格	DIODE 0.25 A, 120 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode
BAV19-AP	MCC	获取价格	暂无描述
BAV19-B	RECTRON	获取价格	SIGNAL DIODE,
BAV19-BP	MCC	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 120V V(RRM), Silicon, DO-35, ROHS COMPLIANT, GLASS PACKA
BAV19L	BL Galaxy Electrical	获取价格	0.2A,100V,Surface Mount Small Signal Switching Diodes
BAV19-L0R0G	TSC	获取价格	High Voltage Switching Diode
BAV19P	SECOS	获取价格	Surface Mount Switching Diode
BAV19R	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 120V V(RRM), Silicon,

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