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BAV199W-T

更新时间: 2024-02-29 08:20:39
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 二极管
页数 文件大小 规格书
8页 103K
描述
DIODE 85 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode

BAV199W-T 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.6配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G3湿度敏感等级:1
元件数量:2端子数量:3
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:0.16 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260最大功率耗散:0.2 W
最大重复峰值反向电压:85 V最大反向恢复时间:3 µs
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:10
Base Number Matches:1

BAV199W-T 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
ook, halfpage  
BAV199  
Low-leakage double diode  
Product data sheet  
2001 Oct 12  
Supersedes data of 1999 May 11  

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