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BAS85

更新时间: 2024-11-11 20:30:19
品牌 Logo 应用领域
SURGE 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 755K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon, MELF-2

BAS85 技术参数

生命周期:Active包装说明:O-LELF-R2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.64
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:O-LELF-R2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:125 °C最大输出电流:0.2 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM最大重复峰值反向电压:30 V
最大反向恢复时间:0.004 µs表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子形式:WRAP AROUND
端子位置:ENDBase Number Matches:1

BAS85 数据手册

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