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BAS85T-01I

更新时间： 2024-11-30 19:42:27

品牌	Logo	应用领域
美台 - DIODES		二极管
页数	文件大小	规格书
1页	45K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon, GLASS PACKAGE-2

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BAS85T-01I 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-LELF-R2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.64	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	O-LELF-R2
最大非重复峰值正向电流：	0.6 A	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
最大输出电流：	0.2 A	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
最大功率耗散：	0.25 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	30 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	WRAP AROUND	端子位置：	END
Base Number Matches：	1

BAS85T-01I 数据手册

BAS85T-01I

SILICON SCHOTTKY BARRIER DIODE

Features

For general applications

Low turn-on voltage

PN junction guard ring

Min

3.4

Max

3.6

1.40

0.20

1.50

0.40

All dimensions in mm

Mechanical Data

Glass case

Weight: 0.05g (approx)

@ T_A= 25°C unless otherwise specified

Maximum Ratings

Characteristic

Symbol

V_R

Value

Unit

Continuous reverse voltage

Forward continuous current*

Peak forward current *

Surge forward current*

Power dissipation*

I_F

200

300

600

250

125

°C

I_FM

@ t_p= 1s

I_FSM

P_tot

T_j

@ T_A= 65°C

Junction temperature

T_A

Operating temperature range

Storage temperature range

-65 to +125

-65 to +150

°C

T_STG

°C

@ T_j= 25°C unless otherwise specified

Electrical Characteristics

Characteristic

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

Reverse breakdown voltage

V_(BR)R

—

10 µA pulses

* Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature.

DIODES INC 3050 East Hillcrest Drive, Westlake Village, CA 91362-3154

TEL: (805) 446-4800 FAX: (805) 446-4850

Document Number: 11004 Revision A- 5

Page 1 of 1

FAX-BACK: (805) 446-4870 www.diodes.com

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