BAS86

更新时间： 2024-11-10 22:39:27

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威世 - VISHAY		整流二极管肖特基二极管
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描述
Schottky Barrier Diode

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BAS86 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	MELF
包装说明：	O-LELF-R2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.37
其他特性：	FAST SWITCHING	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.38 V
JESD-30 代码：	O-LELF-R2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	最大功率耗散：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	50 V
最大反向恢复时间：	0.005 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	WRAP AROUND
端子位置：	END	Base Number Matches：	1

BAS86 数据手册

BAS86

Vishay Telefunken

Schottky Barrier Diode

Features

Integrated protection ring against

static discharge

Very low forward voltage

Applications

94 9371

Applications where a very low forward voltage

is required

Absolute Maximum Ratings

T = 25 C

Parameter

Reverse voltage

Test Conditions

Type

Symbol

Value

Unit

Peak forward surge current

Repetitive peak forward current t ≤1s

Forward current

Average forward current

Junction temperature

Storage temperature range

t =10 ms

500

200

FSM

FRM

FAV

125

–65...+150

stg

Maximum Thermal Resistance

T = 25 C

Parameter

Junction ambient

Test Conditions

on PC board 50mmx50mmx1.6mm

Symbol

Value

320

Unit

K/W

thJA

Electrical Characteristics

T = 25 C

Parameter

Forward voltage

Test Conditions

I =0.1mA

Type

Symbol Min

Typ Max Unit

300

380

450

600

900

I =1mA

I =10mA

I =30mA

I =100mA

Reverse current

V =40V

Diode capacitance

V =1V, f=1MHz

www.vishay.de • FaxBack +1-408-970-5600

Document Number 85511

Rev. 3, 01-Apr-99

1 (4)

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