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BAS86135

更新时间: 2024-09-30 14:48:35
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恩智浦 - NXP 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 86K
描述
DIODE 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode

BAS86135 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LELF-R2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.37
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:O-LELF-R2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:125 °C最大输出电流:0.2 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM认证状态:Not Qualified
最大反向恢复时间:0.004 µs表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子形式:WRAP AROUND
端子位置:ENDBase Number Matches:1

BAS86135 数据手册

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