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BAS86-GS18

更新时间： 2024-12-01 06:41:27
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 信号二极管小信号肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
5页 231K
描述
Small Signal Schottky Diode

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BAS86-GS18 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：DO-213AA包装说明：O-LELF-R2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.7Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.3 VJEDEC-95代码：DO-213AA
JESD-30 代码：O-LELF-R2JESD-609代码：e2
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
最大输出电流：0.2 A封装主体材料：GLASS
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：250最大功率耗散：0.2 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：50 V
最大反向恢复时间：0.005 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)端子形式：WRAP AROUND
端子位置：END处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

BAS86-GS18 数据手册

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BAS86  
Vishay Semiconductors  
Small Signal Schottky Diode  
Features  
• For general purpose applications  
• This diode features low turn-on voltage.  
e2  
The devices are protected by a PN junction  
guard ring against excessive voltage, such  
as electrostatic discharges.  
• Metal-on-silicon Schottky barrier device which is  
protected by a PN junction guard ring.  
94 9371  
• The low forward voltage drop and fast switching  
make it ideal for protection of MOS devices, steer-  
ing, biasing and coupling diodes for fast switching  
and low logic level applications  
• This diode is also available in a DO35 case with  
type designation BAT86.  
• Lead (Pb)-free component  
Mechanical Data  
Case: MiniMELF Glass case SOD80  
Weight: approx. 31 mg  
Packaging Codes/Options:  
GS18 / 10 k per 13" reel (8 mm tape), 10 k/box  
GS08 / 2.5 k per 7" reel (8 mm tape), 12.5 k/box  
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
Applications  
• Applications where a very low forward voltage is  
required  
Parts Table  
Part  
Ordering code  
Marking  
Remarks  
Tape and Reel  
BAS86  
BAS86-GS18 or BAS86-GS08  
Absolute Maximum Ratings  
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified  
Parameter  
Test condition  
Symbol  
Value  
Unit  
Continuous reverse voltage  
VR  
IF  
50  
V
2001)  
5001)  
2001)  
Forward continuous current  
Tamb = 25 °C  
mA  
mA  
mW  
Repetitive peak forward current tp < 1 s, Tamb = 25 °C, ν ≤ 0.5  
Tamb = 25 °C  
IFRM  
Ptot  
Power dissipation1)  
1) Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature  
Thermal Characteristics  
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified  
Parameter  
Test condition  
Symbol  
RthJA  
Value  
3001)  
Unit  
K/W  
Thermal resistance junction to  
ambient air  
Junction temperature  
Tj  
125  
°C  
°C  
Ambient operating temperature  
range  
Tamb  
- 65 to + 125  
Storage temperature range  
TS  
- 65 to +150  
°C  
1) Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature  
Document Number 85511  
Rev. 1.7, 03-Mar-06  
www.vishay.com  
1
12345

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BAS86-GS18 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTE178MP NTE

功能相似

 Rectifier Diode, 1 Element, 0.07A, 50V V(RRM), Silicon,
MMBD7000 TAITRON

功能相似

 Dual Small Signal Switching Diode

与BAS86-GS18相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BAS86-M VISHAY

获取价格

 		Small Signal Schottky Diode
BAS86-M-08 VISHAY

获取价格

 		SCHOTTKY DIODES SOD80 MINIMELF-E2-M
BAS86-M-18 VISHAY

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 		DIODE SCHOTTKY 50V 200MA SOD80
BAS86T/R PHILIPS

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 50V V(RRM),
BAS86-TP MCC

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, Silicon, MINIMELF-2
BAS86TRL YAGEO

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, Silicon
BAS86TRL13 YAGEO

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, Silicon
BASC1-5.999MHZ-L3 CALIBER

获取价格

 		Series - Fundamental Quartz Crystal, 5.999MHz Nom, HC49/US, 3 PIN
BASE1-23.999MHZ-L3 CALIBER

获取价格

 		Series - Fundamental Quartz Crystal, 23.999MHz Nom, HC49/US, 3 PIN
BASE1-23.999MHZ-SP CALIBER

获取价格

 		Series - Fundamental Quartz Crystal, 23.999MHz Nom, HC49/US, 2 PIN

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