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BAS86/D2

更新时间： 2024-09-30 14:47:59

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		开关二极管
页数	文件大小	规格书
2页	19K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 50V V(RRM), Silicon, GLASS, MINIMELF-2

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BAS86/D2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	MELF
包装说明：	O-LELF-R2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.52
Is Samacsys：	N	其他特性：	FAST SWITCHING
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.3 V	JESD-30 代码：	O-LELF-R2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
最大输出电流：	0.2 A	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
最大功率耗散：	0.2 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	50 V	最大反向恢复时间：	0.005 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WRAP AROUND	端子位置：	END
Base Number Matches：	1

BAS86/D2 数据手册

BAS86

New Product

Vishay Semiconductors

formerly General Semiconductor

Schottky Diode

Features

MiniMELF (SOD-80C)

• For general purpose applications

Cathode Band

• This diode features low turn-on voltage. The

devices are protected by a PN junction guard ring

against excessive voltage, such as electrostatic

discharges.

.063 (1.6)

.051 (1.3)

Dia.

• Metal-on-silicon Schottky barrier device which is

protected by a PN junction guard ring.

• The low forward voltage drop and fast switching

make it ideal for protection of MOS devices,

steering, biasing and coupling diodes for fast

switching and low logic level applications

.019 (0.48)

.011 (0.28)

.146 (3.7)

.130 (3.3)

• This diode is also available in a DO-35 case with

type designation BAT86.

Dimensions in inches and (millimeters)

Mechanical Data

Case: MiniMELF Glass Case (SOD-80C)

Weight: approx. 0.05g

Cathode Band Color: Green

Packaging Codes/Options:

D1/10K per 13” reel (8mm tape), 20K/box

D2/2.5K per 7” reel (8mm tape), 20K/box

Maximum Ratings and Thermal Characteristics (T_A= 25°C unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Continuous Reverse Voltage

V_R

Forward Continuous Current at T_amb= 25°C

Repetitive Forward Current at t_p< 1s, υ ≤ 0.5, T_amb= 25°C

Power Dissipation at T_amb= 25°C

Thermal Resistance Junction to Ambiant Air

Junction Temperature

I_F

200⁽¹⁾

°C/W

°C

I_FRM

P_tot

R_θJA

T_j

500⁽¹⁾

200⁽¹⁾

300⁽¹⁾

125

Ambient Operating Temperature Range

Storage Temperature Range

T_amb

T_S

–65 to +125

–65 to +150

°C

Note: (1) Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature.

Document Number 88132

10-May-02

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BAS86_00	NXP	获取价格	Schottky barrier diode
BAS86_08	VISHAY	获取价格	Small Signal Schottky Diode
BAS86_11	VISHAY	获取价格	Small Signal Schottky Diode
BAS86_12	VISHAY	获取价格	Small Signal Schottky Diode
BAS86_15	GOOD-ARK	获取价格	Small-Signal Diode Schottky Diode
BAS86112	NXP	获取价格	DIODE 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
BAS86135	NXP	获取价格	DIODE 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
BAS86GS08	VISHAY	获取价格	SIGNAL DIODE, DO-213AA, GLASS, SOD-80, MINIMELF-2
BAS86-GS08	VISHAY	获取价格	Small Signal Schottky Diode
BAS86GS18	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, DO-213AA, GLASS, SOD-80, MINIMELF-2

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