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BAS86

更新时间： 2024-11-06 14:55:51
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1页 77K
描述
Schottky Barrier Rectifiers

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BAS86 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.69Is Samacsys：N
二极管类型：RECTIFIER DIODE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

BAS86 数据手册

  
TH97/2478  
TH09/2479  
IATF 0060636  
SGS TH07/1033  
SCHOTTKY BARRIER DIODE  
BAS86  
MiniMELF (SOD-80C)  
FEATURES :  
Cathode Mark  
• For general purpose applications.  
• This diode features low turn-on voltage. This  
device is protected by a PN junction guard ring  
against excessive voltage, such as electrostatic  
discharges.  
f 0.063 (1.64)  
0.055 (1.40)  
0.019(0.48)  
0.011(0.28)  
0.142(3.6)  
• Metal-on-silicon Schottky barrier device which is  
protected by a PN junction guard ring.  
• The low forward voltage drop and fast switching  
make it ideal for protection of MOS devices,  
steering, biasing and coupling diodes for fast  
switching and low logic level applications  
• This diode is also available in the DO-35 case  
with type designation BAT86.  
0.134(3.4)  
Mounting Pad Layout  
0.098 (2.50)  
Max.  
0.049 (1.25)Min.  
0.079 (2.00)Min.  
• Pb / RoHS Free  
0.197 (5.00)  
REF  
MECHANICAL DATA :  
Case: MiniMELF Glass Case (SOD-80C)  
Weight: approx. 0.05g  
Dimensions in inches and ( millimeters )  
Maximum Ratings and Thermal Characteristics (Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.)  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
VR  
IF  
Continuous Reverse Voltage  
Continuous Forward Current  
50  
V
mA  
mA  
mW  
°C/W  
°C  
200(1)  
500(1)  
200(1)  
IFRM  
PD  
Repetitive Peak Forward Current at tp < 1s,  
Power Dissipation  
300(1)  
Thermal Resistance Junction to Ambient Air  
Junction Temperature  
RqJA  
TJ  
125  
Ambient Operating Temperature Range  
Storage temperature range  
Ta  
TS  
-65 to + 125  
-65 to + 150  
°C  
°C  
Note: (1) Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature.  
Electrical Characteristics (TJ = 25°C unless otherwise noted)  
Test Condition  
Min  
50  
-
Typ  
Max  
-
Unit  
V
Parameter  
Reverse Breakdown Voltage  
Symbol  
V(BR)R  
IR  
IR = 10 mA (pulsed)  
-
-
VR = 40 V  
Reverse Current  
5.0  
mA  
IF = 1mA  
IF = 10mA  
IF = 30mA  
IF = 100mA  
-
-
-
-
-
0.275  
0.365  
0.460  
0.700  
-
0.380  
0.450  
0.600  
0.900  
8
Forward Voltage  
Pulse Test tp <300ms , d <2%  
VF  
V
VR = 1V, f = 1MHz  
Diode Capacitance  
Cd  
Trr  
pF  
ns  
IF =10mA to IR = 10mA ,  
measured at IR = 1mA  
Reverse Recovery Time  
-
-
5
Page 1 of 1  
Rev. 03 : October 19, 2005  
1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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