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BAS86

更新时间： 2024-11-12 11:13:31

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安世 - NEXPERIA		二极管
页数	文件大小	规格书
9页	631K
描述
Schottky barrier single diodeProduction

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BAS86 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.67
Is Samacsys：	N	其他特性：	ULTRA HIGH SPEED SWITCH
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	O-LELF-R2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大功率耗散：	0.3 W	最大重复峰值反向电压：	50 V
最大反向恢复时间：	0.004 µs	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	WRAP AROUND	端子位置：	END
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	Base Number Matches：	1

BAS86 数据手册

BAS86

Schottky barrier single diode

25 July 2012

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Planar Schottky barrier diode with an integrated guard ring for stress protection,

encapsulated in a small hermetically sealed SOD80C glass Surface-Mounted Device

(SMD) package with tin-plated metal discs at each end. It is suitable for “automatic

placement” and as such it can withstand immersion soldering.

1.2 Features and benefits

Low forward voltage

High breakdown voltage

Guard ring protected

•

Hermetically sealed glass SMD package.

1.3 Applications

Ultra high-speed switching

•

Voltage clamping

Protection circuits

Blocking diodes

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

I_F(AV)

average forward

current

[1]

200

V_R

V_F

reverse voltage

forward voltage

I_F= 100 mA; T_amb= 25 °C

900

[1] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and standard

footprint.

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