BAS85-GS18

更新时间： 2024-11-30 06:41:27

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威世 - VISHAY		信号二极管小信号肖特基二极管
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5页	76K
描述
Small Signal Schottky Diode

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BAS85-GS18 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	DO-213AA	包装说明：	O-LELF-R2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	0.9	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.24 V	JEDEC-95代码：	DO-213AA
JESD-30 代码：	O-LELF-R2	JESD-609代码：	e2
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值正向电流：	0.6 A
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	250
最大功率耗散：	0.2 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	30 V	最大反向恢复时间：	0.005 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式：	WRAP AROUND	端子位置：	END
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	Base Number Matches：	1

BAS85-GS18 数据手册

BAS85

Vishay Semiconductors

Small Signal Schottky Diode

Features

• For general purpose applications

• This diode features low turn-on voltage

• The devices are protected by a PN junc-

tion guard ring against excessive voltage,

such as electrostatic discharges

• This diode is also available in a DO35 case with

type designation BAT85

94 9371

• Lead (Pb)-free component

• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC

and WEEE 2002/96/EC

Applications

Mechanical Data

• Applications where a very low forward voltage is

required

Case: MiniMELF Glass case SOD80

Weight: approx. 31 mg

Cathode Band Color: black

Packaging Codes/Options:

GS18 / 10 k per 13" reel (8 mm tape), 10 k/box

GS08 / 2.5 k per 7" reel (8 mm tape), 12.5 k/box

Parts Table

Part

Ordering code

Type Marking

Remarks

Tape and Reel

BAS85

BAS85-GS18 or BAS85-GS08

Absolute Maximum Ratings

T_amb= 25 °C, unless otherwise specified

Parameter

Test condition

Symbol

Value

Unit

Continuous reverse voltage

V_R

I_F

200¹⁾

300¹⁾

600¹⁾

200¹⁾

Forward continuous current

Peak forward current

Surge forward current

Power dissipation

_amb= 25 °C

I_FM

I_FSM

P_tot

t_p< 1 s, T_amb= 25 °C

_amb= 65 °C

¹⁾Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature.

Thermal Characteristics

T_amb= 25 °C, unless otherwise specified

Parameter

Test condition

Symbol

R_thJA

Value

430¹⁾

Unit

K/W

Thermal resistance junction to

ambient air

Junction temperature

T_j

125

°C

Storage temperature range

T_stg

- 55 to +150

¹⁾Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature.

Document Number 85510

Rev. 1.8, 27-Mar-06

www.vishay.com

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BAS85-GS18 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BAS85T/R	NXP	类似代替	DIODE 0.2 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signal Diode
BAT54XV2T1G	ONSEMI	功能相似	Schottky Barrier Diodes
BAT54HT1G	ONSEMI	功能相似	Schottky Barrier Diodes

与BAS85-GS18相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BAS85-GS18_15	VISHAY	获取价格	Small Signal Schottky Diode
BAS85L0G	TSC	获取价格	Hermetically Sealed Glass Fast Switching Schottky Barrier Diodes
BAS85-L0L0G	TSC	获取价格	Hermetically Sealed Glass Fast Switching Schottky Barrier Diodes
BAS85-M	VISHAY	获取价格	Small Signal Schottky Diode
BAS85-M-08	VISHAY	获取价格	DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD80
BAS85-M-18	VISHAY	获取价格	DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD80
BAS85T	DIODES	获取价格	SILICON SCHOTTKY BARRIER DIODE
BAS85T/R	NXP	获取价格	DIODE 0.2 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signal Diode
BAS85T01	DIODES	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM),
BAS85T-01I	DIODES	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon, GLASS PACKAGE-2

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