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BAS85,115 PDF预览

BAS85,115

更新时间： 2024-09-30 21:19:59
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 二极管
页数 文件大小 规格书
10页 87K
描述
BAS85 - Schottky barrier diode MELF 2-Pin

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BAS85,115 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：MELF包装说明：O-LELF-R2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：3.17其他特性：ULTRA HIGH SPEED SWITCH
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.8 VJESD-30 代码：O-LELF-R2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：5 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：0.2 A
封装主体材料：GLASS封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：30 V
最大反向电流：2 µA最大反向恢复时间：0.004 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Tin (Sn)
端子形式：WRAP AROUND端子位置：END
处于峰值回流温度下的最长时间：30Base Number Matches：1

BAS85,115 数据手册

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BAS85  
Schottky barrier diode  
Rev. 6 — 10 September 2010  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
Planar Schottky barrier diode with an integrated guard ring for stress protection,  
encapsulated in a small hermetically sealed glass SOD80C Surface-Mounted  
Device SMD package with tin-plated metal discs at each end. It is suitable for  
“automatic placement” and as such it can withstand immersion soldering.  
1.2 Features and benefits  
„ Low forward voltage  
„ High breakdown voltage  
„ Guard-ring protected  
„ Hermetically sealed glass SMD package  
1.3 Applications  
„ Ultra high-speed switching  
„ Voltage clamping  
„ Protection circuits  
„ Blocking diodes  
1.4 Quick reference data  
Table 1.  
Symbol  
IF  
Quick reference data  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
200  
30  
Unit  
mA  
V
forward current  
reverse voltage  
forward voltage  
-
-
-
-
-
-
VR  
VF  
IF = 100 mA  
800  
mV  
 
 
 
 
 
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