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BAS85/D1

更新时间： 2024-11-30 14:41:03

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		二极管
页数	文件大小	规格书
1页	20K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon, GLASS, MINIMELF-2

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BAS85/D1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	MELF
包装说明：	O-LELF-R2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.47
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.24 V	JESD-30 代码：	O-LELF-R2
JESD-609代码：	e0	最大非重复峰值正向电流：	0.6 A
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	最大功率耗散：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	30 V
最大反向恢复时间：	0.005 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	WRAP AROUND
端子位置：	END	Base Number Matches：	1

BAS85/D1 数据手册

BAS85

Vishay Semiconductors

formerly General Semiconductor

Schottky Diode

Features

MiniMELF (SOD-80C)

• For general purpose applications

• This diode features low turn-on voltage.

Cathode Band

• The devices are protected by a PN junction guard

ring against excessive voltage, such as

electrostatic discharges.

.063 (1.6)

.051 (1.3)

• This diode is also available in a DO-35 case with

type designation BAT85.

Dia.

Mechanical Data

Case: MiniMELF Glass Case (SOD-80C)

Weight: approx. 0.05g

.019 (0.48)

.011 (0.28)

.146 (3.7)

.130 (3.3)

Cathode Band Color: Green

Packaging Codes/Options:

Dimensions in inches and (millimeters)

D1/10K per 13” reel (8mm tape), 20K/box

D2/2.5K per 7” reel (8mm tape), 20K/box

Maximum Ratings and Thermal Characteristics (T_A= 25°C unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Continuous Reverse Voltage

V_R

Forward Continuous Current at T_amb= 25°C

Peak Forward Current at T_amb= 25°C

Surge Forward Current at t_p< 1s, T_amb= 25°C

Power Dissipation at T_amb= 65°C

Thermal Resistance Junction to Ambient Air

Junction Temperature

I_F

200⁽¹⁾

300⁽¹⁾

600⁽¹⁾

200⁽¹⁾

430⁽¹⁾

125

°C/W

°C

I_FM

I_FSM

P_tot

R_θJA

T_j

Storage Temperature Range

T_S

–55 to +150

°C

Electrical Characteristics(T_J= 25°C unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

V_(BR)R

I_R

Test Condition

I_{R =}10µA (pulsed)

V_R= 25V

Min

Typ

Max

—

Unit

Reverse Breakdown Voltage

Leakage Current

—

0.2

µA

Pulse Test tp < 300µs

I_F= 0.1mA

—

0.5

—

0.24

0.32

0.4

—

0.8

I_F= 1mA

I_F= 10mA

I_F= 30mA

I_F= 100mA

Forward Voltage

V_F

Capacitance

C_tot

t_rr

V_R= 1V, f = 1MHz

—

I_F= 10mA, I_{R =}10mA

I_R= 1mA

Reverse Recovery Time

Note: (1) Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature.

Document Number 88131

10-May-02

www.vishay.com

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与BAS85/D1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BAS85/T1	ETC	获取价格	DIODE SCHOTTKY
BAS85/T3	NXP	获取价格	DIODE 0.2 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signal Diode
BAS85_00	NXP	获取价格	Schottky barrier diode
BAS85_08	VISHAY	获取价格	Small Signal Schottky Diode
BAS85_10	VISHAY	获取价格	Small Signal Schottky Diode
BAS85_11	TAK_CHEONG	获取价格	200 mW LL-34 Hermetically Sealed Glass Fast Switching Schottky Barrier Diode
BAS85_12	VISHAY	获取价格	Small Signal Schottky Diode
BAS85_14	TSC	获取价格	Hermetically Sealed Glass Fast Switching Schottky Barrier Diodes
BAS85-GS08	VISHAY	获取价格	Small Signal Schottky Diode
BAS85GS18	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, DO-213AA, GLASS, SOD-80, MINIMELF-2

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