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BAS85,135 PDF预览

BAS85,135

更新时间： 2024-11-30 21:19:23
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 二极管
页数 文件大小 规格书
9页 48K
描述
BAS85 - Schottky barrier diode MELF 2-Pin

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BAS85,135 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：MELF包装说明：O-LELF-R2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.14其他特性：ULTRA HIGH SPEED SWITCH
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.8 VJESD-30 代码：O-LELF-R2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：5 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：0.2 A
封装主体材料：GLASS封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：30 V
最大反向电流：2 µA最大反向恢复时间：0.004 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Tin (Sn)
端子形式：WRAP AROUND端子位置：END
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

BAS85,135 数据手册

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BAS85  
Schottky barrier diode  
Rev. 05 — 25 March 2009  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
Planar Schottky barrier diode with an integrated guard ring for stress protection,  
encapsulated in a small hermetically sealed glass SOD80C Surface-Mounted  
Device SMD package with tin-plated metal discs at each end. It is suitable for  
“automatic placement” and as such it can withstand immersion soldering.  
1.2 Features  
I Low forward voltage  
I High breakdown voltage  
I Guard-ring protected  
I Hermetically sealed glass SMD package  
1.3 Applications  
I Ultra high-speed switching  
I Voltage clamping  
I Protection circuits  
I Blocking diodes  
1.4 Quick reference data  
Table 1.  
Symbol  
IF  
Quick reference data  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
200  
30  
Unit  
mA  
V
forward current  
reverse voltage  
forward voltage  
-
-
-
-
-
-
VR  
VF  
IF = 100 mA  
800  
mV  
 
 
 
 
 
 
1234567...9

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BAS85,135 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BAS85T/R NXP

完全替代

 DIODE 0.2 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signal Diode
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 		DIODE 0.2 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signal Diode
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