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| 生命周期： | Active | 包装说明： | R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.72 | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 最大功率耗散： | 0.25 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 60 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.006 µs | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BAS55215 | NXP |
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DIODE 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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| BAS55235 | NXP |
获取价格 |
DIODE 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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| BAS55-T | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.2 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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| BAS56 | CENTRAL |
获取价格 |
DUAL HIGH CURRENT SWITCHING DIODE |
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| BAS56 | LGE |
获取价格 |
High-speed Double Diode |
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| BAS56 | TYSEMI |
获取价格 |
Small plastic SMD package High switching speed: max. 6 ns |
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| BAS56 | KEXIN |
获取价格 |
High-Speed Double Diode |
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| BAS56 | NXP |
获取价格 |
High-speed double diode |
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| BAS56 | YAGEO |
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Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, Silicon |
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| BAS56 | NEXPERIA |
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High-speed double diodeProduction |
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