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BAS55-T

更新时间: 2024-11-20 13:02:39
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 二极管
页数 文件大小 规格书
7页 45K
描述
DIODE 0.2 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode

BAS55-T 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.72
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1 V
JESD-30 代码:R-PDSO-G3最大非重复峰值正向电流:4 A
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C最大输出电流:0.2 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE最大功率耗散:0.25 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:60 V
最大反向电流:0.1 µA最大反向恢复时间:0.006 µs
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUALBase Number Matches:1

BAS55-T 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BAS55  
High-speed diode  
1996 Sep 10  
Product specification  
Supersedes data of April 1996  
File under Discrete Semiconductors, SC01  

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